%0 Journal Article
%T 基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型
%A 李琦
%A 唐宁
%A 王卫东
%A 李海鸥
%J 北京理工大学学报
%D 2012
%X 提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SBLDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求解漂移区电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响.仿真结果表明,与埋层LDMOS相比,SBLDMOS击穿电压提高63%.
%K 衬底偏压
%K 电场调制
%K 击穿电压
%K 耐压模型
%U http://journal.bit.edu.cn/zr/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20121214&flag=1