%0 Journal Article
%T CO在Pd低指数晶面吸附的DFT分析
%A 闫爱芝
%A 魏子栋
%A 李兰兰
%A 张凤桥
%J 重庆大学学报
%D 2007
%R 10.11835/j.issn.1000-582X.2007.06.012
%X 采用密度泛函理论(DFT)中B3LYP计算方法对CO在Pd(100)、Pd(110)和Pd(111)3个低指数晶面上的3种不同的吸附模式(顶位吸附、空位吸附和桥位吸附)进行了探讨,从CO在3个晶面吸附的结合能、几何结构、集居数以及净电荷分析得到:CO与Pd面均形成强的σ-π键;CO在3个晶面上均倾向于桥位吸附,在Pd(111)晶面上中毒最深.对CO在3个晶面上吸附的结合能和活化程度进行了比较,发现CO在3个晶面的中毒应按以下顺序减弱:Pd(111)》Pd(100)》Pd(110);空位吸附时的活化程度最高,桥位吸附时的活化程度最低.
%K 一氧化碳
%K 密度泛函理论
%K 钯
%K 催化
%U http://qks.cqu.edu.cn/cqdxzrcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200706209&flag=1