%0 Journal Article
%T ITO薄膜的光学和电学性质及其应用
%A 马勇
%A 孔春阳
%J 重庆大学学报
%D 2002
%R 10.11835/j.issn.1000-582X.2002.08.034
%X 介绍了氧化铟锡（ITO）薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2O3晶格上的In原子，每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为－10^20cm^-3，电阻率为－10^-4Ωcm，是高度简并半导体，其能带为抛物线型结构。由于Burstein-Moss效应，光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收，Brude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好，说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。由于ITO薄膜优异的光学和电学特性使它日益获得广泛应用。
%K ITO薄膜
%K 结构
%K 能带
%K 电学性质
%K 氧化铟锡薄膜
%K 光学性质
%U http://qks.cqu.edu.cn/cqdxzrcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200208315&flag=1