%0 Journal Article
%T 碳纳米管的K掺杂
%A 李勇
%A 胡陈果
%J 重庆大学学报
%D 2002
%R 10.11835/j.issn.1000-582X.2002.08.011
%X 对碳纳米管掺杂特性的了解是控制其价电子的关键。研究发现：单壁碳纳米管进行K掺杂后，其电阻率和转折温度T^*（高于此温度后，dρ/dT的符号由负变为正）都会变小；其电阻会随着掺杂浓度的升高而单调下降，直至饱和。文章还对半导体和金属单壁碳纳米管的K掺杂行为通过光吸收谱进行了研究，另外把分子动力学用于了预测K掺杂单壁碳纳米管的结构。
%K K掺杂
%K 碳纳米管
%K 电阻率
%K 钾掺杂
%K 电学特性
%K 光吸收谱
%U http://qks.cqu.edu.cn/cqdxzrcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200208292&flag=1