%0 Journal Article
%T 磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO2气敏特性分析
%A 方亮
%A 彭丽萍
%A 杨小飞
%A 黄秋柳
%A 周科
%A 吴芳
%A 刘高斌
%A 马勇
%J 重庆大学学报
%D 2009
%R 10.11835/j.issn.1000-582X.2009.09.004
%X 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜，具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性，最佳工作温度为273℃，其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高，而薄膜比厚膜的灵敏度高，厚度为90nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高
%K 氧化锌薄膜
%K 铟掺杂
%K 磁控溅射
%K 二氧化氮
%U http://qks.cqu.edu.cn/cqdxzrcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200909005&flag=1