%0 Journal Article
%T 铁氰化锰修饰玻碳电极的制备及其电化学行为
%A 刘有芹
%A 金松子
%A 刘六战
%A 沈含熙
%J 分析化学
%P 847-851
%D 2004
%X 采用循环伏安法成功制备了铁氰化锰(MnHCF)膜修饰玻碳(GC)电极.探讨了影响膜电沉积的各种因素,通过扫描电位范围对膜电沉积的影响,确定MnHCF膜的组成为Mn3+Fe3+(CN)6[普鲁士黄类似物Fe3+Fe3+(CN)6].首次发现在整个膜电沉积过程中存在3个阶段,最后阶段对制备均匀、致密的MnHCF/GC电极至关重要.阴离子的种类对MnHCF/GC电极的伏安特性及电催化活性有显著的影响,只有当支持电解质中含有HPO42-离子时,MnHCF膜修饰电极对H2O2的电氧化才表现出良好的电催化作用.在0.10mol/LNa2HPO4溶液中,催化电流Δipa与过氧化氢浓度(CH2O2)的线性关系为:Δipa(μA)=2.8432+2.2289×104CH2O2(mol/L)(r=0.9944,n=9);线性范围为1.4×10-5～1.8×10-3mol/L;检出限为3.6×10-6mol/L(S/k=3).
%K 铁氰化锰
%K 玻碳电极
%K 膜生长机理
%K 循环伏安法
%K 电催化
%U http://210.14.121.5:8080/fxhx/CN/abstract/abstract5136.htm