%0 Journal Article
%T 石墨烯/纳米钴增敏对特辛基苯酚印迹传感器研究
%A 周必武
%A 张朝晖
%A 蒋映权
%J 分析化学
%P 1716-1721
%D 2015
%R 10.11895/j.issn.0253-3820.150285
%X 以对特辛基苯酚为模板分子,吡咯为单体,采用电聚合法在一步电化学还原石墨烯/纳米钴修饰碳电极表面制备出高灵敏度和高选择性地检测对可特辛基苯酚的印迹电化学传感器。采用循环伏安法和差分脉冲伏安法等方法,对此印迹电极的电化学性能表征。结果表明,此印迹电化学传感器的响应电流与对特辛基苯酚浓度的负对数在1.0×10-13-1.0×10-7mol/L范围内呈良好的线性关系(R2=0.987),检出限为3.7×10-14mol/L(S/N=3)。此印迹电化学传感器成功用于检测雨水、湖水、饮料等样品中的对特辛基苯酚,回收率达到92.4%-102.0%。
%K 印迹电化学传感器
%K 对特辛基苯酚
%K 石墨烯
%K 纳米钴
%U http://210.14.121.5:8080/fxhx/CN/abstract/abstract14039.htm