%0 Journal Article
%T 三辛基氧化膦修饰电极三元络合物体系测定铕(Ⅲ)的研究
%A 方禹之
%A 仝威
%A 柏竹平
%A 金利通
%J 分析化学
%P 306-310
%D 1988
%X 本文报道了三辛基氧化膦(TOPO)修饰旋转圆盘玻碳电极对痕量铕(Ⅱ)的富集与测定的研究。在嚷吩甲酰三氟丙酮(HTTA),存在的HAc-NaAc底液中,由于协同络合作用,在电极表面形成Eu(TTA)3(TOPO)2三元络合物,从而将铕(Ⅱ)富集在电极表面。采用徽分脉冲阴极溶出伏安法,最低检出限可达0.01ng/ml,铕(Ⅱ)在0.04-2.60ng/ml范围内与峰高成线性关系。
%K 化学修饰电极
%K 三辛基氧化膦修饰电极
%K 痕量铕的测定
%K 微分脉冲伏安法
%K 阴极溶出伏安法
%U http://210.14.121.5:8080/fxhx/CN/abstract/abstract9841.htm