%0 Journal Article
%T 痕量锗的二阶导数卷积吸附伏安法的研究
%A 陈洪渊
%A 方惠群
%A 王小叶
%J 分析化学
%P 1103-1105
%D 1989
%X 锗在联苯三酚(2,3-二羟基苯酚)盐酸介质中形成具有吸附性质的配合物。它在-0.65V(vs.S.C.E.)处出现一灵敏的配合吸附峰。研究结果表明,用二阶导数卷积吸附伏安法可检测低至0.09ng/ml的痕量锗,且在0.3～186ng/mlGe(Ⅳ)范围内呈线性关系。该法用于矿样中痕量锗的测定,结果满意。研究了该波的配合吸附性质,确定该吸附配合物的组成为1:1,其条件稳定常数β为200。
%K 锗
%K 伏安法
%K 卷积伏安法
%U http://210.14.121.5:8080/fxhx/CN/abstract/abstract9375.htm