%0 Journal Article
%T 三辛基氧膦化学修饰钨电极电富集-石墨炉原子吸收法测定镓的研究
%A 朱军
%A 李银玉
%J 分析化学
%P 1298-1300
%D 1991
%X 用三辛基氧膦(TOPO)化学修饰钨电极预富集-石墨炉原子吸收法测定镓。在5.0×10-2mol/LHAc底液中,Ga(Ⅲ)被络合富集于TOPO-钨修饰电极表面,测定线性范围7.17×10-10～1.43×10-7mol/L,检测下限1.43×10-10mol/L,相对标准偏差5.5%。用于人发和水样分析,结果满意。
%K 三辛基氧膦修饰电极
%K 电富集
%K 镓
%K 原子吸收法
%U http://210.14.121.5:8080/fxhx/CN/abstract/abstract8781.htm