%0 Journal Article
%T 铕(Ⅲ)在邻菲啰啉/Nafion薄膜修饰电极上的伏安行为
%A 侯建敏
%A 俞希杰
%A 李南强
%J 分析化学
%P 1429-1432
%D 1992
%X 本文研究了铕(Ⅲ)在邻菲啰啉/Nafion聚合物薄膜修饰电极上的伏安行为。在pH5.1的六次甲基四胺底液中,实验了多种因素对铕(Ⅲ)的还原电流的影响。在选定分析条件下,铕(Ⅲ)的还原峰高在1.0×10-7～1.0×10-5mol/L范围内有良好的线性关系。富集时间15min时,检出限可达3.0×10-8mol/L。用于发光材料中铕(Ⅲ)的测定,取得满意结果。
%K 铕
%K 邻菲啰啉
%K Nafion薄膜电极
%U http://210.14.121.5:8080/fxhx/CN/abstract/abstract8312.htm