%0 Journal Article
%T 浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究
%A 贺朝会
%A 耿斌
%A 陈晓华
%A 杨海亮
%J 空间科学学报
%P 184-192
%D 2002
%X 给出了浮栅ROM器件的质子辐射效应实验结果.认为浮栅ROM28C256和29C256的质子辐射效应不是单粒子效应,而是质子及其次级带电粒子产生的累积剂量造成的总剂量效应.器件出现错误有个质子注量阈值.对于29C256,高温加电退火容易消除质子产生的辐射损伤;对于28C256,高温加电退火不易消除质子产生的辐射损伤.动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高的质子注量辐照下未出现错误.对于应用浮栅ROM器件的航天器电子系统,冷备份是提高其可靠性的有效手段之一.
%K FLASH
%K ROM-EEPROM-质子-单粒子效应-总剂量效应
%U http://www.cjss.ac.cn/CN/abstract/abstract1300.shtml