%0 Journal Article
%T 二次包封CMOS器件电子辐照实验研究
%A 卫宁
%A 郭红霞
%A 于伦正
%A 周辉
%A 何宝平
%A 陈雨生
%A 党军
%J 空间科学学报
%P 396-400
%D 2003
%X 对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1-2个数量级,得到了预期的数据和结果.这些工作为商用器件的空间开拓使用提供了很好的途径.
%K 二次封装
%K 电离辐射
%K 电子辐照
%K 屏蔽
%U http://www.cjss.ac.cn/CN/abstract/abstract1379.shtml