%0 Journal Article
%T 移位损伤剂量模型及其应用
%A 张庆祥
%A 韩建伟
%A 师立勤
%A 张振龙
%A 黄治
%J 空间科学学报
%P 132-137
%D 2005
%X 首先描述了移位损伤的机理及其影响器件性能的机制,引入了适合航天器工程抗辐射加固设计使用的移位损伤剂量模型,探讨了其在CCD器件电荷传输效率CTE,Si器件平均暗电流以太阳电池阵输出功率等工程参数衰降中的应用,介绍了建立的基于移位损伤剂量模型的空间环境中CCD器件CTE衰降预测模式,其结果与欧空局空间环境信息系统的计算结果相吻合.该程序在光电器件抗辐射加固设计中具有重要的应用价值.
%K 移位损伤
%K 非电离能量损失
%K 光电器件
%K 电荷传输效率
%K 暗电流
%U http://www.cjss.ac.cn/CN/abstract/abstract814.shtml