%0 Journal Article
%T 铜在HOPG上电沉积过程的现场ECSTM研究
%A 谢兆雄
%J 电化学
%P 164-169
%D 1996
%X 用自制的电化学扫描隧道显微镜（ＥＣＳＴＭ）现场研究Ｃｕ在ＨＯＰＧ上的电沉积过程．结果表明Ｃｕ在ＨＯＰＧ上的电沉积为三维成核的过程．当电位较低或Ｃｕ２＋离子浓度较低时，铜在本体金属生长主要沿着台阶方向．过电位较高时，铜的成核数目增加，沉积层的晶粒有所细化．同时，非现场ＥＣＳＴＭ比较研究表明，ＳＴＭ针尖对针尖局部区域的电沉积起屏蔽作用，针尖所在区域Ｃｕ的沉积速度比其它区域明显减小
%K ECSTM
%K STM
%K 电沉积
%K 铜沉积层
%U http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9655.shtml