%0 Journal Article
%T 硅基多孔氧化铝膜的AES多层结构分析和生长过程研究
%J 电化学
%P 389-394
%D 1999
%X 将电子束蒸发在硅衬底（Ｐ型，〈１００〉晶向，０－５Ω·ｃｍ）上厚度４００ｎｍ、纯度９９－９９％的铝膜，浸入具有中等溶解能力的１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４中，ＤＣ恒压６０Ｖ、恒温０℃条件下，进行多孔型过度阳极氧化处理，从而在Ｓｉ基上得到包含空隙层的多孔氧化铝膜．通过对样品ＴＥＭ平面形貌、ＳＥＭ横断面形貌观察以及ＡＥＳ深度剖析，研究了样品的多层结构，并初步讨论了由此揭示出的硅基多孔氧化铝膜的生长过程
%K 阳极氧化
%K 硅基多孔氧化铝
%K AES
%K 多层结构
%U http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9386.shtml