%0 Journal Article
%T 铜在氨水介质铁氰化钾抛光液中CMP的电化学行为研究
%A 胡岳华
%A 何捍卫
%A 黄可龙
%J 电化学
%P 480-486
%D 2001
%X 应用电化学测试技术研究了介质浓度(包括pH值)和成膜剂浓度对铜表面成膜及铜抛光过程的影响,探讨了成膜厚度及其致密性与抛光压力、抛光转速的关系,考察了压力及转速对抛光过程的作用,找出影响抛光过程及抛光速率的电化学变量.用腐蚀电位及腐蚀电流密度的变化解释了抛光过程的电化学机理,通过成膜速率及除膜速率的对比得出了抛光过程的控制条件.证明了在氨水溶液介质中、以铁氰化钾为成膜剂、纳米γ-Al2O3为磨粒的抛光液配方是可行的,其抛光控制条件为压力10psi、转速300r/min
%K 铜CMP
%K 电化学行为
%U http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9235.shtml