%0 Journal Article
%T 两步法制备多孔硅及其表征II:脉冲电流法(英文)
%A 程璇
%A 刘峰名
%A 温作新
%A 林昌健
%A 田中群
%J 电化学
%P 78-84
%D 2001
%X 采用脉冲阳极/阴极电流和化学氧化两步法分别在1∶1的氢氟酸和乙醇溶液中及20%硝酸溶液中制备出孔径约为0.5～3μm,厚度大约为10～20μm的多孔硅样品,将获得的多孔硅结构再进一步用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪进行表面形貌和光学性质的考察.与恒电流-化学氧化两步法制得的多孔硅相比,用脉冲电流法得到的多孔硅的孔径范围较大,且多孔层较厚.制备时加紫外光照显著提高了多孔硅的厚度,并发生“蓝移”现象.用脉冲电流法制得的多孔硅在老化后(在干燥器放置一年)同样观察到光致发光明显增强.
%K 多孔硅
%K 光致发光
%K 表面形貌
%U http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9291.shtml