%0 Journal Article
%T 多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响
%A 杨亚军
%J 电化学
%P 210-213
%D 2006
%X 应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-Si/Al的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电致发光峰位会随着阳极氧化电流密度的增大、腐蚀时间的延长以及HF酸浓度的降低而蓝移.欲制备工作电压较低、发光时间较长、发光效率较高的电致发光样品,则多孔硅制备时的阳极氧化应使用较低电流密度和较短的腐蚀时间.
%K 多孔硅(PS)
%K 电致发光(EL)
%K 光致发光(PL)
%K 氧化铟锡(ITO)
%U http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract8843.shtml