%0 Journal Article
%T 基底电位对硫醇自组装膜形成的影响
%A 刁鹏
%J 电化学
%P 69-73
%D 2006
%X 应用电位阶跃法,在不同组装电位下制备金/正十二硫醇自组装单分子膜.交流阻抗谱表征该硫醇膜的电化学性质,发现金基底的电位对硫醇自组装膜的形成有重要影响.在-0.8~-0.4V的电位区间内,随着组装电位的增加,该自组装膜的致密性、有序性增加,缺陷减少,并于0.4V时达到最佳.组装电位高于0.4V,膜的致密性、有序性降低,缺陷增多.本文为硫醇及其衍生物的电位调控组装提供了重要依据.
%K 电化学
%K 自组装膜
%K 电位控制组装
%K 硫醇
%U http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract8858.shtml