%0 Journal Article
%T 钴离子(Co2+)掺杂TiO2纳米管阵列的光生阴极保护行为
%A 林成钢
%A 林泽泉
%A 李静
%A 林昌健
%J 电化学
%P 312-317
%D 2011
%X 应用电化学阳极氧化法在纯钛箔表面构筑TiO2纳米管阵列膜，借助离子交换法向纳米管阵列膜作钴离子(Co2+)掺杂.扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)观察膜层的形貌和晶型,紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、光电化学分别测试Co2+掺杂TiO2纳米管阵列在不同波长范围内的光电响应特性和光生阴极保护行为,考察Co2+掺杂量对TiO2纳米管阵列几何尺寸、形貌和光电性能的影响.结果表明，掺杂适量Co2+形成的杂化能级可有效窄化TiO2带隙宽度，并使光响应扩展至可见光区，Co2+掺杂TiO2纳米管阵列膜在400-650nm波长范围有较强的光吸收,对403不锈钢光生阴极保护作用明显.
%K TiO2纳米管阵列膜
%K 钴离子(Co2+)掺杂
%K 可见光
%K 阳极氧化
%K 光生阴极保护
%U http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9802.shtml