%0 Journal Article
%T Keggin型缺位硅钨杂多阴离子的电化学性质及电催化还原H2O2
%A 刘希龙
%A 吴春燕
%A 周方
%A 刘红生
%A 华英杰
%A 王崇太
%A 刘晓旸
%J 电化学
%P 174-180
%D 2012
%X 应用循环伏安、方波伏安和交流阻抗法研究了Keggin型缺位硅钨杂多阴离子SiW11O398-(SiW11)在0.1mol?L-1NaHSO4+Na2SO4溶液中的电化学性质及其对H2O2还原的间接电催化作用。结果表明，SiW11的酸性水溶液在玻碳(GC)电极上显示两对可逆的还原-氧化波，对应的电荷迁移数均为1，且有2个质子参与反应。根据第1对波的还原峰电流与扫描速率平方根关系得到SiW11在溶液中的扩散系数Do为8.92×10-6cm2?s-1。SiW11对H2O2的还原具有明显的电催化活性，催化峰电位随溶液pH的降低而正移，峰电流增大。质子H+在催化反应中起协同促进作用。实验测定该电催化过程的均相准一级反应速率常数为0.30s-1。SiW11电催化还原H2O2的机理被认为该反应是经过形成所谓“七配位过氧化物”而发生的。
%K 缺位硅钨杂多阴离子
%K 电催化
%K 循环伏安
%K 交流阻抗
%K 过氧化氢还原
%U http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9855.shtml