%0 Journal Article
%T 精神分裂症认知功能障碍与事件相关电位P300的相关性研究
%A 刘力
%A 秦晓霞
%A 黄永进
%A 毕红希
%J 第三军医大学学报
%P 2286-2288
%D 2007
%X 目的探讨首发精神分裂症患者认知障碍与事件相关电位P300之间的相关性。方法应用丹麦丹迪公司KeyPointV2.12诱发电位仪（ERPs），对60例精神分裂症患者、3例急性精神分裂样障碍患者及40例健康人(对照组)使用听觉Oddball范式检测P300成分，同时运用阳性和阴性症状量表（PANSS）对患者组进行精神症状评定，并用主成分分析方法分离出几个症状因子。结果PANSS项目主成分分析显示认知障碍、阴性症状、抑郁症状、敌对/兴奋、妄想/幻觉5个因子；与健康对照组相比，P300波幅在Fz、Cz、Pz、T3、T45个记录区差异均有显著性(P<0.05，P<0.01)，P300潜伏期无显著差异(P>0.05)，患者组认知障碍因子仅与Fz、T3处P300波幅呈负相关(r=-0.43,P<0.01;r=-0？33,P<0.05)。结论额及颞区P300波幅降低反映精神分裂症患者一定程度的认知损害。
%K 精神分裂症
%K 认知障碍
%K 事件相关电位
%K P
%U http://aammt.tmmu.edu.cn/oa/darticle.aspx?type=view&id=070637