%0 Journal Article
%T Rh/SiO2催化剂上甲烷部分氧化制合成气的反应机理
%A 温在恭
%A 李虎
%A 翁维正
%A 夏文生
%A 黄传敬
%A 万惠霖
%J 催化学报
%P 1183-1190
%D 2012
%R 10.3724/SP.J.1088.2012.20208
%X ？采用原位Raman光谱技术,在原料气中的O2未完全耗尽的条件下,对CH4部分氧化制合成气反应的Rh/SiO2催化剂床层前部贵金属物种的化学态以及由CH4解离所生成的碳物种进行了表征.在此基础上采用脉冲反应和同位素示踪技术,比较了CH4的部分氧化及其与H2O和CO2的重整等反应对催化剂床层氧化区内CO和H2生成的相对贡献,并将实验结果与Raman光谱表征结果进行了关联.结果表明,在600°C下将还原后的4%Rh/SiO2催化剂切入CH4:O2:Ar=2:1:45原料气,催化剂床层前部未检测到铑氧化物的Raman谱峰,但可清晰检测到源于CH4解离的碳物种;在700°C和接触时间小于1ms的条件下,催化剂床层的氧化区内已有大量CO和H2生成,在相同的实验条件下,CH4与H2O或CO2重整反应对氧化区内合成气生成的贡献则很小;以CH4:16O2:H218O:He=2:1:2:95为原料气的同位素示踪实验结果表明,在原料气中16O2未完全耗尽的情况下,反应产物中C16O的含量占CO生成总量的92.3%,表明CO主要来自CH4的部分氧化反应.上述结果均表明,在O2存在下Rh/SiO2催化剂上CO和H2可以通过CH4直接解离和部分氧化机理生成.
%K 铑
%K 甲烷部分氧化
%K 合成气
%K 脉冲反应
%K 原位拉曼光谱
%K 同位素示踪
%U http://www.chxb.cn/CN/abstract/abstract20717.shtml