%0 Journal Article
%T 非晶硅的应用研究
%A 林鸿溢
%J 兵工学报
%P 15-20
%D 1988
%X ？本文阐述了氢化非晶态硅(a-Si:H)薄膜材料的辉光放电(GD)法制备技术和等离子体化学反应过程。对所制备的a-Si:H薄膜样品作了光电导测量，光电导的色散关系表明，光电导光谱峰值与太阳光谱的峰值相一致；测量还得到σph／σd比值高达3×104，因此，将其作为光电器件应用是大有希望的。文中对晶化和氢的逸出作了讨论，并利用艽射线光电子能谱(XPS)方法对a-Si:H薄膜样品表面作了分析，结果表明，a-Si:H薄膜作为器件表面钝化膜应用具有特殊的优越性。
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract4342.shtml