%0 Journal Article
%T 抛光垫提高化学机械抛光接触压强分布均匀性研究
%A 吕玉山
%A 张辽远
%A 王军
%A 王武刚
%J 兵工学报
%P 617-622
%D 2012
%X ？为了改善单晶硅片化学机械抛光(CMP)接触压强分布的均匀性和实现高平坦化抛光，基于弹性力学的“Winkler地基”理论提出了一个新的CMP接触模型。依据此模型，从葵花籽粒分布的结构特征出发对抛光垫进行了分割，计算分析了分割参数对接触压强分布的影响规律，并实验验证了分割参数对硅片抛光平面度轮廓的影响规律。研究结果表明：当分割参数为顺时针0.008～0.009mm，逆时针为0.005～0.006mm时，抛光接触压强分布较为均匀，并使得被抛光晶片的平面度得到改善。
%K 机械制造工艺与设备
%K 抛光
%K 单晶硅片
%K 接触压强
%K 葵花籽粒分布
%K Winkler地基
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract462.shtml