%0 Journal Article
%T 瞬时大电流下微机电引信硅通孔封装的失效机理与实验研究
%A 刘芳怡
%A 娄文忠
%A 丁旭冉
%A 王辅辅
%A 王瑛
%J 兵工学报
%P 1356-1362
%D 2014
%R 10.3969/j.issn.1000-1093.2014.09.005
%X ？随着引信向微型化、智能化、灵巧化发展，对引信采用三维封装是实现其小型化最为前景的技术。硅通孔（TSV）是三维封装的关键技术，广泛应用在微机电系统(MEMS)的集成中，具有封装尺寸小和能量消耗低的优点。研究了一种应用于MEMS引信的TSV三维封装技术，该MEMS引信的工作模式要求TSV在引信起爆控制时的瞬时大电流冲击下，电阻改变量在规定允许的范围内。利用有限元分析软件计算TSV在瞬时大电流下的升温曲线，并进行分组实验，对TSV分别施加40V、330μF电容放电条件，10V、330μF电容放电条件和4V、100μF电容放电条件。通过对比仿真结果与实验结果，得到TSV的潜在的失效模式和其承载瞬时大电流的能力。通过上述结论分析得出在10V、330μF电容放电条件和4V、100μF电容放电条件下，TSV封装技术可以满足MEMS引信的正常工作。
%K 兵器科学与技术
%K 引信
%K 瞬时大电流
%K 硅通孔
%K 有限元仿真
%K 电容放电
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract1289.shtml