%0 Journal Article
%T 利用电化学刻蚀ェ艺制备P型硅基大孔深通道阵列
%A 高延军
%A 端木庆铎
%A 王国政
%A 李野
%A 田景全
%J 兵工学报
%P 1497-1500
%D 2008
%X ？在自制的三极电解槽中，采用浓度不同的氢氟酸(HF)电解液在一定掺杂浓度的p型硅基上，研究了大孔深通道阵列的形成过程。通过一系列实验、电化学测试与分析，从理论上论述了D型大孔深通道阵列的形成微观机制，同时解释了电化学刻蚀反应与HF浓度的关系，指出了HF浓度决定电化学反应刻蚀的进行与否与样品质量的关键。提供了一种利用电化学刻蚀工艺制备p型大孔深通道阵列经济实用的方法，实验结果对其形成具有指导意义。
%K 电子物理学
%K 电化学刻蚀
%K 大孔深通道阵列
%K 氢氟酸
%K p型硅
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract1735.shtml