%0 Journal Article
%T 碳化硅MOSFET的变温度参数建模
%A 孙凯
%A 陆珏晶
%A 吴红飞
%A 邢岩
%A 黄立培
%J 中国电机工程学报
%P 37-43
%D 2013
%X 为在全温度范围内准确反映碳化硅(siliconcarbide，SiC)MOSFET的工作特性，提出一种基于Pspice仿真软件的SiCMOSFET变温度参数模型。该模型中引入温控电压源和温控电流源以补偿SiCMOSFET静态特性随温度的变化，同时着重考虑了SiCMOSFET的低温特性和驱动电路负压的影响。详细阐述建模原理，分析各个关键参数对SiCMOSFET静态特性及动态特性的影响，给出建模原理。搭建基于Buck变换器的SiCMOSFET测试实验样机，在不同电压点、电流点及温度点(?25~125℃)下进行实验测试，并将测试结果与基于变温度参数Pspice模型的仿真波形和损耗估算结果进行比较。比较结果高度吻合，功率损耗误差在10%以内，验证了提出的变温度参数模型的准确性和有效性，为实际应用中采用SiCMOSFET器件进行系统分析和效率评估提供了重要的依据。
%K 碳化硅MOSFET
%K 变温度参数
%K PSpice建模
%K Buck变换器
%U http://www.pcsee.org/CN/abstract/abstract25685.shtml