%0 Journal Article
%T 掺杂技术对阻变存储器电学性能的改进
%A 王艳
%A 刘琦
%A 吕杭炳
%A 龙世兵
%A 王慰
%A 李颖弢
%A 张森
%A 连文泰
%A 杨建红
%A 刘明
%J 科学通报
%P 314-319
%D 2012
%R 10.1360/csb2012-57-5-314
%X 本文总结和分析了掺杂技术对阻变存储器性能的改善.实验上,以Cu/ZrO2/Pt器件为基础,分别使用Ti离子、Cu,Cu纳米晶对器件进行掺杂.将掺杂过的器件与未掺杂的器件进行对比,发现掺杂的作用集中在四点消除电形成过程、降低操作电压、提升电学参数的均一性和提高器件良率.除此之外,使用掺杂还可以提升器件高阻态的稳定性和保持特性.结果表明,掺杂技术是优化RRAM电学性能的有效方法.
%K 非易失性存储器
%K 阻变存储器(RRAM)
%K 掺杂技术
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract506583.shtml