%0 Journal Article
%T 自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响
%A 王天虎
%A 徐进良
%A 王晓东
%J 科学通报
%P 1564-1572
%D 2014
%R 10.1360/csb2014-59-16-1564
%X 在自加热效应下，对有、无AlGaInN电子阻挡层的两种发光二极管芯片进行了数值研究.系统分析了芯片能带结构，载流子输运与分布特性，内部焦耳热和复合热特性，内量子效率衰落的物理机制.并讨论了不同俄偈复合系数在自加热效应下对效率衰落效应的影响.模拟结果表明当在p-GaN层与活性层间插入AlGaInN电子阻挡层后，效率衰落效应得到显著改善，芯片结温明显升高.俄偈复合热不是内热源的主要贡献，可忽略不计.效率衰落效应受芯片结温影响不大，电子漏电流与俄偈复合是效率衰落的主要原因.
%K 发光二极管
%K 效率衰落
%K 自加热
%K 电子阻挡层
%K 俄偈复合
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract514112.shtml