%0 Journal Article
%T 质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制
%A 中国科学院物理研究所半导体激光组
%A 中国科学院高能物理研究所一室应用组
%J 科学通报
%P 559-560
%D 1975
%X 利用GaAs-Ga1-xAlxAs双异质结构,加上条形结构可以获得在室温下连续工作的半导体激光二极管[1]。我们利用通常的液相外延方法生长出GaAs-Ga1-x-AlXAs双异质结构材料。并用质子轰击法来形成条形结构。这样用银散热片做成的器件能在300°K下长时期地连续工作。
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract352697.shtml