%0 Journal Article
%T Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta和Co/AlOx/Co磁性薄膜中原子的化学状态
%A 于广华
%A 朱逢吾
%A 柴春林
%J 科学通报
%P 1944-1947
%D 2001
%X 用射频/直流磁控溅射法制备了Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta和Co/AlOx/Co磁性薄膜,并利用X射线光电子能谱(XPS)和振动样品磁强计(VSM)研究了Ar/O2比与NiOx化学状态以及Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta薄膜磁性之间的关系.结果表明当溅射气压为0.57Pa,Ar/O2为7︰1时,制备的NiOx中的x@1,镍为+2价,相应的交换耦合场(Hex)最大;Ar/O2比偏离7︰1时,NiOx层中出现单质镍和+3价的镍,相应的Hex也下降,单质镍的出现还会增大该磁性薄膜的矫顽力(Hc).用XPS还研究了Co/AlOx/Co磁性薄膜中AlOx对Co膜的覆盖状况,Al层将Co膜完全覆盖所需要的最小厚度约1.8nm,采用角分辨XPS方法测出的Al的氧化物为Al2O3,氧化厚度为1.2nm.
%K NiOx/NiFe
%K 交换耦合
%K Co/AlOx/Co
%K X射线光电子能谱(XPS)
%K 化学状态
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract367587.shtml