%0 Journal Article
%T 磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究
%A 李秀娟
%A 金洙吉
%A 康仁科
%A 郭东明
%J 摩擦学学报
%D 2005
%X 利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8mm、表面沉积厚530nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42nm)进行化学机械抛光(CMP)试验,评价了CMP过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的硅片表面粗糙度;采用扫描电子显微镜分析CMP后的铜硅片表面损伤形貌.结果表明,磨料的浓度和粒径直接影响CMP过程的摩擦系数:采用5%粒径25nm硅溶胶为抛光液时的摩擦系数低于超纯水抛光时的摩擦系数;当磨料的添加量和粒度增加时摩擦系数增大.在相同试验条件下,采用10%粒径25nm硅溶胶抛光材料的去除率为50.7nm/min;粒径为1μm白刚玉磨料的抛光材料去除率为246.3nm/min;单纯磨料使铜硅片表面变得粗糙,即用10%粒径25nm硅溶胶抛光后的表面粗糙度仍大于原始表面(Ra值达3.43nm);在单纯磨料或超纯水为抛光液抛光下铜硅片表面出现划伤.
%K 铜化学机械抛光(CMP)
%K 摩擦
%K 磨料
%K 材料去除机理
%U http://www.tribology.com.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20050591&flag=1