%0 Journal Article
%T 掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布
%A 王爱华
%A 牛义红
%A 刘宇
%A 陈铁军
%A 李立亚
%J 哈尔滨工业大学学报
%P 124-128
%D 2014
%R 10.11918/j.issn.0367-6234.2014.03.022
%X 为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能,采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了3种掺杂硅硅栅宽度(lG=0,0,60μm)条件下,硅栅宽度与图案周期之比(lG／lP=0.5,0.0,0.25)变化对晶圆片温度分布的影响．结果表明:在相同掺杂硅硅栅宽度条件下,随着硅栅排列密度的增加,晶圆片总的温度水平下降,晶圆片表面温度温差变小,温度均匀性提高；在相同硅栅排列密度条件下,随着硅栅宽度的增加,晶圆片温度水平不断提高,而晶圆片表面温度温差几乎没有变化．这是因为晶圆片表面图案结构变化改变了表面吸收特性,调整了对入射辐射能量的吸收和分配,影响了晶圆片温度水平和温度均匀性．
%K 图案晶圆片
%K 快速热处理工艺
%K 热辐射
%K 温度分布
%K 热传输特性
%U http://journal.hit.edu.cn/hitxb_cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20140322&flag=1