%0 Journal Article
%T 亚硝基聚吡咯修饰离子选择性电极的制备及化学性能
%A 程发良
%A 莫金垣
%J 功能高分子学报
%P 579-581
%D 1997
%X 用循环伏安法（ＣＶ）制备了聚吡咯亚硝酸根离子选择性电极。表征了电极的性能。在１０－１～５×１０－５ｍｏｌ／Ｌ浓度范围内电极电位与亚硝酸根离子浓度成良好的线性关系，斜率５１ｍＶ／ＰＮＯ－２。观察了ＮＯ－２在ＰＰｙ膜中掺杂－去掺杂过程，从而验证了电极响应是基于掺杂机理。
%K 聚吡咯离子选择电极掺杂机理亚硝酸根
%U http://gngfzxb.ecust.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=199704122&flag=1