%0 Journal Article
%T Ge_2Sb_2Te_5薄膜及其存储特性研究
%A 赖云锋
%J 福州大学学报(自然科学版)
%D 2010
%X 采用磁控溅射制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.通过XRD以及四探针法研究薄膜在退火过程中的微结构演变以及电导率变化规律.通过电流-电压特性研究了存储器的存储转变机制.
%K 相变存储器
%K Ge2Sb2Te5
%K 薄膜
%K 半导体
%U http://xbzrb.fzu.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20100243&flag=1