%0 Journal Article
%T 自组织生长Ge量子点材料研究
%A 魏榕山
%A 何明华
%J 福州大学学报(自然科学版)
%D 2011
%X 利用超高真空化学气相淀积设备在Si衬底上生长Ge量子点.通过3因素3水平的正交实验,研究不同的生长参数(衬底温度、GeH4气体流量、生长时间)对Ge量子点生长的影响,从而得到优化的Ge量子点生长参数.透射电镜、X射线双晶衍射测试结果表明,利用优化的生长参数得到的多层Ge量子点材料,具有较好的晶体质量.
%K 超高真空
%K 化学气相淀积
%K Ge量子点
%K Si衬底
%K 正交实验
%U http://xbzrb.fzu.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20110375&flag=1