%0 Journal Article
%T 反射式GaAs负电子亲和势光电阴极的激活
%A 郭太良
%A 王敏
%A 黄振武
%A 高怀蓉
%J 福州大学学报(自然科学版)
%D 1988
%X 本文叙述反射式ＧａＡｓ负电子亲和势（ＮＥＡ）光电阴极的激活工艺已制备出积分灵敏度为４４０～１１７７μＡ／ｌｍ的光电阴极。文中讨论了对ＮＥＡ光电阴极稳定性的影响因素，铯和氧的作用，以及ＮＥＡ的形成机理。
%K GaAs
%K 负电子亲和势光电阴极
%K 激活
%U http://xbzrb.fzu.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19880353&flag=1