%0 Journal Article
%T 磁控溅射ITO透明导电薄膜的研究
%A 陈跃
%J 福州大学学报(自然科学版)
%D 1999
%X 采用直流磁控反应溅射法制备锡掺杂氧化铟 （ Ｉ Ｔ Ｏ） 薄膜， 研究了不同的基片温度、氧分压等工艺参数对 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜电学、光学性能的影响， 制备出方块电阻为２０ － ５０ Ω、可见光透射率高于８６ ％ 的 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜
%K 磁控溅射
%K 导电薄膜
%U http://xbzrb.fzu.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19990492&flag=1