%0 Journal Article
%T 用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度
%A 王松柏
%A 张声豪
%J 福州大学学报(自然科学版)
%D 2003
%X 根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 .
%K 半绝缘GaAs
%K 禁带宽度EgΓ
%K 表面光伏
%U http://xbzrb.fzu.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20030242&flag=1