%0 Journal Article
%T 考虑对流效应和磁场的CMP模型及其数值模拟
%A 郑秋云
%A 李明军
%A 舒适
%J 力学学报
%P 1060-1067
%D 2010
%R 10.6052/0459-1879-2010-6-lxxb2009-423
%X 推导了具有对流效应的化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,CMP)润滑模型,研究各参数对压力场分布的影响.在此模型基础上，研究了磁流体抛光液在外界磁场作用下的润滑模型,以及外磁场对抛光过程中压力场分布的影响.数值结果表明,具有对流效应的润滑模型的压力分布与已有经验结果更一致，能更为有效地解释CMP过程中的负压现象;进一步通过外界磁场的作用,可以有效地改变磁流体CMP的压力分布,这为实现对晶片的全局抛光提供了一种可供参考的新途径.
%K 化学机械抛光
%K 润滑模型
%K 磁流体
%K (抛光液)对流效应
%K 晶片
%U http://lxxb.cstam.org.cn/CN/abstract/abstract141974.shtml