%0 Journal Article
%T 硅材料中的Si-H红外吸收光谱及其相关的键性质
%A 崔树范
%A 麦振洪
%A 葛培文
%A 沈德言
%J 科学通报
%P 848-852
%D 1981
%X 一、引言关于硅材料中氢的性质和行为的研究历史虽不长,业已展现其实用前景。例如,氢有效地降低无定形硅的能带隙中的态密度而使其具有显著的电学和光学性质,并已在太阳能电池方面获得应用[1,2];氢能够钝化(中和)电活性的点缺陷,这种性质有希望改善半导体器件的制造工艺[3],氢甚至可以同广延性的缺陷相互作用,例如氢抑制硅单晶生长中产生的旋涡缺陷[4]以及诱发一种雪花形缺陷[5]。
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract354085.shtml