%0 Journal Article
%T 瞬态高温等离子体生成氮化硅与ESCA分析
%A 韩丽君
%J 科学通报
%P 196-196
%D 1989
%X 氮化硅具有耐腐蚀、耐高温、硬度高、磨擦系数小等特性,在工业应用中是一种优异的陶瓷材料,此外,由于氮化硅(Si_3N_4)有良好的绝缘性能,在大规模集成电路中用作掩膜或介质薄膜。近年来,采用电子束感生的化学气相沉积法(EBCVD),产生氮化硅薄膜沉积在SiO_2、多晶硅和单晶硅衬底上,这种方法要用NH_3、N_2和SiH_4作为反应气体,由于反应中含
%K 电子束
%K 等离子体
%K 氮化硅
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract359541.shtml