%0 Journal Article
%T Ⅱ—Ⅵ族宽禁带ZnS/ZnSe应变层超晶格瞬态激子复合发光特性
%A 崔捷
%J 科学通报
%P 1853-1853
%D 1991
%X 半导体超品格和量子阱结构形成了载流子的准二维体系,特别是正方向势阱压缩效应增强了电子-空穴间库仑相互作用,使得二维激子束缚能较三维激子束缚能增大,从而使二维激子跃迁强度和吸收强度迅速增加,使得激子效应在量子阱光跃迁过程中起着比三维体系更重
%K 应变层超晶格
%K 激子复合发光
%K 时间分辨光谱
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract360888.shtml