%0 Journal Article
%T Er离子注入多孔硅的发光
%A 李仪
%J 科学通报
%P 781-781
%D 1995
%X 硅是最重要的半导体材料,在微电子领域有着广泛的应用.室温下硅的禁带宽度为1.11eV,相应的发光波长为1.14μm.在近红外波段,硅是间接带材料,发光效率很低,无法在光电子领域实际应用.近年来,人们用稀土离子Er掺入硅中,获得了Er~(3+)离子在1.54μm的近红外发光.这正是光纤传输的最低损耗波段.在掺Er的硅基材料上能否获得有实用功率的发光或激光器件,人们对此表现了极大兴趣.然而,理论评估表明前景不容乐
%K 多孔硅
%K 发光
%K 铒
%K 离子注入
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract363956.shtml