%0 Journal Article
%T 氢化非晶硅(a-Si:H)光电导研究中的新现象
%A 施伟华
%J 科学通报
%P 1461-1461
%D 1995
%X 本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-SiH的T_s的降低系统地移向较低温度区.光电导特性是衡量非晶态半导体的一个重要参数,因为它不仅涉及到载流子的激发、俘获、复合等过程,而且与载流子的输运特性紧密联系.一些研究小组在研究结论中指出a-SiH薄膜的光电导对于其生长参数很敏感,如掺杂浓度、生长中的射频功率等.但尚未见系统
%K 氢化非晶硅
%K 光电导
%K 热淬灭
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract363487.shtml