%0 Journal Article
%T InGaAs/InAlAs/InP异质结结构的X射线双晶衍射研究
%A 王超英
%J 科学通报
%P 2136-2136
%D 1992
%X Al_xGa_(1-x)As/GaAs材料在高电子迁移率晶体管(HEMT)的应用上已经显示出很好的高频特性。然而,这一系统小导带不连续性(当x=0.3时,△E_c=0.24eV)及较低的二维载流子浓度及饱和速度等因素限制了截止频率的进一步提高和器件应用。而与InP匹配的In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结体系,消除了AlGaAs层,避免了低温持续光电导。且沟道
%K X射线双晶衔射
%K 多层膜
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract361576.shtml