%0 Journal Article
%T Si和Mo基片上气相生长金刚石薄膜的界面状态研究
%A 毛友德
%J 科学通报
%P 986-986
%D 1993
%X 在低压气相生长金刚石薄膜中,金刚石薄膜与基片间的界面状态是一个十分重要的问题,它不仅与金刚石在异质基片上的成核、生长机理有密切关系,而且在很大程度上决定着金刚石薄膜与基片的粘附性能.近几年来,人们首先较多地研究了单晶Si基片生长金刚石薄膜中的界面状态,认为在金刚石薄膜与Si基片之间存在着一个界面层或过渡层,其主要成分是β-SiC.但也有人认为不存在界面层,金刚石是在Si表面直接生长的.其它基片上生长金刚石薄膜的界面状态也曾见报道.
%K 金刚石薄膜
%K 热丝CVD
%K 界面层
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract361924.shtml