%0 Journal Article
%T 纳米非晶氮化硅的界面极化行为及其机制
%A 王涛
%J 科学通报
%P 983-983
%D 1994
%X 纳米非晶氮化硅由尺寸为纳米级非晶小颗粒经压制而成,界面占很大的比例.这种新型团体出现一些传统氮化硅所不具有的特殊性能.传统氮化硅是良好的绝缘体,研究它的介电行为当然十分重要.传统热压烧结和反应烧结获得的氮化硅的介电常数约为8.36,不论是晶态还是非晶态氮化硅在室温下的介电常数与频率无关.对于纳米非晶氨化硅介电行为的研究却未见报道.本文将系统研究纳米非晶氮化硅的介电行为,并深入研究产生这种特殊行为的机制.
%K 纳米氮化硅
%K 介电常数
%K 电子自旋共振谱
%K 极化
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract362619.shtml